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文献
J-GLOBAL ID：201202209321378866
整理番号：12A1547913
超低電圧シリコンオン薄ボックス(SOTB)CMOS動作に専用のポリ/高k/SiONゲートスタックと新しいプロフィル工学
Poly/High-k/SiON Gate Stack and Novel Profile Engineering Dedicated for Ultralow-Voltage Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) CMOS Operation
YAMAMOTO Y.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
YAMALOTO Y.
(Renesas Electronics Corp.)
,
MAKIYAMA H.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
MAKIYAMA H.
(Renesas Electronics Corp.)
,
TSUNOMURA T.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
TSUNOMURA T.
(Renesas Electronics Corp.)
,
IWAMATSU T.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
IWAMATSU T.
(Renesas Electronics Corp.)
,
ODA H.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
ODA H.
(Renesas Electronics Corp.)
,
SUGII N.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
SUGII N.
(Renesas Electronics Corp.)
,
YAMAGUCHI Y.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
YAMAGUCHI Y.
(Renesas Electronics Corp.)
,
MIZUTANI T.
(Univ. Tokyo, Ibaraki, JPN)
,
HIRAMOTO T.
(Low-power Electronics Association & Project (LEAP))
,
HIRAMOTO T.
(Univ. Tokyo, Ibaraki, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2012 ページ： 109-110 発行年： 2012年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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