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文献
J-GLOBAL ID：201202209366314117
整理番号：12A0531419
SP-HV:LDMOSトランジスタの拡張性表面ポテンシャルに基づくコンパクトモデル
SP-HV: A Scalable Surface-Potential-Based Compact Model for LDMOS Transistors
YAO Wei
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
GILDENBLAT Gennady
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
MCANDREW Colin C.
(Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA)
,
CASSAGNES Alexandra
(Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59 号： 3 ページ： 542-550 発行年： 2012年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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