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文献
J-GLOBAL ID：201202209769614730
整理番号：12A1466652
MgOのスペーサ層厚を最適化することによるn-ZnO/i-ZnO/p-GaNによって構成されるヘテロ接合型発光ダイオードからの局在表面プラズモン増強UV電界発光
Localized surface plasmon-enhanced ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/i-ZnO/p-GaN heterojunction light-emitting diodes via optimizing the thickness of MgO spacer layer
LIU W. Z.
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...)
,
XU H. Y.
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...)
,
ZHANG L. X.
(Dep. of Physics, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong)
,
ZHANG C.
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...)
,
MA J. G.
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...)
,
WANG J. N.
(Dep. of Physics, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong)
,
LIU Y. C.
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 14 ページ： 142101-142101-5 発行年： 2012年10月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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