文献
J-GLOBAL ID:201202210207792979
整理番号:12A1005977
溶液成長における温度勾配を用いた表面形態制御による4H-SiC単一多形の安定成長
Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth
著者 (6件):
YAMAMOTO Yuji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKI Kazuaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KOZAWA Shigeta
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ALEXANDER
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HARADA Shunta
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
UJIHARA Toru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.1
ページ:
53-56
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)