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文献
J-GLOBAL ID:201202210207792979   整理番号:12A1005977

溶液成長における温度勾配を用いた表面形態制御による4H-SiC単一多形の安定成長

Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth
著者 (6件):
YAMAMOTO Yuji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
SEKI Kazuaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
KOZAWA Shigeta
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
ALEXANDER
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
HARADA Shunta
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
UJIHARA Toru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

巻: 717/720  号: Pt.1  ページ: 53-56  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0716B  ISSN: 0255-5476  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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