文献
J-GLOBAL ID:201202210281349670
整理番号:12A1485660
Partially Narrow Mesa(PNM)構造を有する低損失IGBT
Low loss IGBT with Partially Narrow Mesa Structure (PNM-IGBT)
著者 (6件):
SUMITOMO Masakiyo
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
ASAI Junichi
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
SAKANE Hiroki
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
ARAKAWA Kazuki
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
HIGUCHI Yasushi
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
MATSUI Masaki
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
24th
ページ:
17-20
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)