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文献
J-GLOBAL ID:201202210338619814   整理番号:12A0739013

クロム薄膜における反強磁性磁壁作製

Antiferromagnetic domain wall engineering in chromium films
著者 (7件):
LOGAN J. M.
(Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
KIM H. C.
(Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
ROSENMANN D.
(Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
CAI Z.
(Advanced Photon Source, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
DIVAN R.
(Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
SHPYRKO O. G.
(The Univ. of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA)
ISAACS E. D.
(Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 100  号: 19  ページ: 192405-192405-4  発行年: 2012年05月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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