文献
J-GLOBAL ID:201202210338619814
整理番号:12A0739013
クロム薄膜における反強磁性磁壁作製
Antiferromagnetic domain wall engineering in chromium films
著者 (7件):
LOGAN J. M.
(Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
,
KIM H. C.
(Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
,
ROSENMANN D.
(Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
CAI Z.
(Advanced Photon Source, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
DIVAN R.
(Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
,
SHPYRKO O. G.
(The Univ. of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA)
,
ISAACS E. D.
(Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
19
ページ:
192405-192405-4
発行年:
2012年05月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)