文献
J-GLOBAL ID:201202210500671019
整理番号:12A1683029
MOS構造における酸化物欠陥の無放射多重フォノン遷移へのマルチスケールモデリングアプローチ
A multi scale modeling approach to non-radiative multi phonon transitions at oxide defects in MOS structures
著者 (4件):
SCHANOVSKY F.
(TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT)
,
BAUMGARTNER O.
(TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT)
,
SVERDLOV V.
(TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT)
,
GRASSER T.
(TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT)
資料名:
Journal of Computational Electronics
(Journal of Computational Electronics)
巻:
11
号:
3
ページ:
218-224
発行年:
2012年09月
JST資料番号:
A1072A
ISSN:
1569-8025
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)