文献
J-GLOBAL ID:201202210545618739
整理番号:12A0395511
InGaP/InGaAsドーピング-チャネル電界効果トランジスタに対するゲート熱酸化物膜層の影響
Influence of gate thermal oxide layer on InGaP/InGaAs doping-channel field-effect transistors
著者 (1件):
TSAI Jung-hui
(Dep. of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal Univ., 116, Ho-ping 1st Rd., Kaohsiung 802, Taiwan)
資料名:
Materials Chemistry and Physics
(Materials Chemistry and Physics)
巻:
133
号:
1
ページ:
328-332
発行年:
2012年03月15日
JST資料番号:
E0934A
ISSN:
0254-0584
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)