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文献
J-GLOBAL ID：201202210786596590
整理番号：12A0269332
GaNベース緑色発光ダイオードの発光特性に及ぼす傾斜電子阻止層の効果
Effect of the graded electron blocking layer on the emission properties of GaN-based green light-emitting diodes
ZHANG Ning
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
LIU Zhe
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
WEI Tongbo
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
ZHANG Lian
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
WEI Xuecheng
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
WANG Xiaodong
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
LU Hongxi
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
LI Jinmin
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
,
WANG Junxi
(Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 5 ページ： 053504 発行年： 2012年01月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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