文献
J-GLOBAL ID:201202211109482682
整理番号:12A1754293
HFにおける重度にドープされたSiのエッチングメカニズムの研究
Study of the etching mechanism of heavily doped Si in HF
著者 (12件):
VALCKX Nick
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
VALCKX Nick
(KULeuven, Heverlee, BEL)
,
CUYPERS Daniel
(KULeuven, Heverlee, BEL)
,
VOS Rita
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
PHILIPSEN Harold
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
RIP Jens
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
DOUMEN Geert
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
MERTENS Paul
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
HEYNS Marc
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
HEYNS Marc
(KULeuven, Heverlee, BEL)
,
DE GENDT Stefan
(Imec vzw, Heverlee, BEL)
,
DE GENDT Stefan
(KULeuven, Heverlee, BEL)
資料名:
Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena
(Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻:
187
ページ:
41-44
発行年:
2012年
JST資料番号:
T0583A
ISSN:
1012-0394
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)