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文献
J-GLOBAL ID：201202211140263352
整理番号：12A0539431
InAsとSiチャネルを使って作られたスピン電界効果トランジスタの輸送特性の温度依存性
Temperature dependence of the transport properties of spin field-effect transistors built with InAs and Si channels
OSINTSEV D.
(Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT)
,
SVERDLOV V.
(Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT)
,
STANOJEVIC Z.
(Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT)
,
MAKAROV A.
(Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT)
,
SELBERHERR S.
(Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 71 ページ： 25-29 発行年： 2012年05月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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