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文献
J-GLOBAL ID：201202211361170600
整理番号：12A1602163
InGaNベースの青のレーザダイオードのしきい値より下における効率特性の解析
Analysis of below-threshold efficiency characteristics of InGaN-based blue laser diodes
RYU Han-youl
(Dep. of Physics, Inha Univ., Inchon 402-751, KOR)
,
JUN CHOI Won
(Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR)
,
JEON Ki-seong
(LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR)
,
KANG Min-goo
(LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR)
,
CHOI Yunho
(LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR)
,
LEE Jeong-soo
(LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 8 ページ： 083109-083109-5 発行年： 2012年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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