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文献
J-GLOBAL ID：201202211380808615
整理番号：12A0029793
カチオン移動ベースの酸化物抵抗メモリの形成及びスイッチングメカニズム
Forming and switching mechanisms of a cation-migration-based oxide resistive memory
TSURUOKA T
(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
TSURUOKA T
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN)
,
TERABE K
(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
HASEGAWA T
(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
HASEGAWA T
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN)
,
AONO M
(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 21 号： 42 ページ： 425205.1-425205.8 発行年： 2010年10月22日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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