文献
J-GLOBAL ID:201202211443854639
整理番号:12A0495284
サブミクロン金属酸化物半導体電界効果トランジスタにおけるノイズ: 横電子密度分布及び活性トラップ位置
Noise in Submicron Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors: Lateral Electron Density Distribution and Active Trap Position
著者 (6件):
SEDLAKOVA Vlasta
(Brno Univ. Technol., Brno, CZE)
,
SIKULA Josef
(Brno Univ. Technol., Brno, CZE)
,
CHVATAL Milos
(Brno Univ. Technol., Brno, CZE)
,
PAVELKA Jan
(Brno Univ. Technol., Brno, CZE)
,
TACANO Munecazu
(Meisei Univ., Tokyo, JPN)
,
TOITA Masato
(Asahi Kasei Microsystems, Miyazaki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
2,Issue 1
ページ:
024105.1-024105.5
発行年:
2012年02月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)