文献
J-GLOBAL ID:201202211623025827
整理番号:12A1763885
Ge1-xSnx合金の電子バンド構造と有効質量パラメータ
Electronic band structure and effective mass parameters of Ge1-xSnx alloys
著者 (5件):
LU LOW Kain
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260)
,
YANG Yue
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260)
,
HAN Genquan
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260)
,
FAN Weijun
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798)
,
YEO Yee-chia
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
10
ページ:
103715-103715-9
発行年:
2012年11月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)