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文献
J-GLOBAL ID：201202211717942777
整理番号：12A1312854
表面形態と活性チャネルのパッキング密度を改善することによるa-IGZO TFTの電気的安定性の向上
Enhancement of electrical stability of a-IGZO TFTs by improving the surface morphology and packing density of active channel
RAJA Jayapal
(School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...)
,
JANG Kyungsoo
(School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...)
,
NGUYEN Hong Hanh
(School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...)
,
TRINH Thanh Thuy
(School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...)
,
CHOI Woojin
(School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...)
,
YI Junsin
(School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...)
,
YI Junsin
(Dep. of Energy Sci., Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 13 号： 1 ページ： 246-251 発行年： 2013年01月
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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