文献
J-GLOBAL ID:201202211723184078
整理番号:12A0744693
SiナノワイヤFETにおける離散トラップ電荷で誘起される閾値電圧変動性を評価する決定論的方法
Deterministic Method to Evaluate the Threshold Voltage Variability Induced by Discrete Trap Charges in Si-Nanowire FETs
著者 (5件):
BEKADDOUR Abderrezak
(Grenoble INP Minatec, Grenoble, FRA)
,
BEKADDOUR Abderrezak
(U.R.M.E.R Univ. ABB Tlemcen, Tlemcen, DZA)
,
PALA Marco G.
(Grenoble INP Minatec, Grenoble, FRA)
,
CHABANE-SARI Nasr-Eddine
(U.R.M.E.R Univ. ABB Tlemcen, Tlemcen, DZA)
,
GHIBAUDO Gerard
(Grenoble INP Minatec, Grenoble, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
5
ページ:
1462-1467
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)