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文献
J-GLOBAL ID：201202211778395485
整理番号：12A0495299
有機金属化学蒸着により低温において成長した重度にZnをドープしたInAlGaAs層におけるIn組成の低減
Reduction of In Composition in Heavily Zn-Doped InAlGaAs Layers Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
YOKOYAMA Haruki
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
HOSHI Takuya
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
IDA Minoru
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 2,Issue 1 ページ： 025601.1-025601.4 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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