文献
J-GLOBAL ID:201202211809322880
整理番号:12A1152102
原子層堆積によって作製したZnOベースのUV発光ダイオードおよびナノ構造
ZnO-based ultra-violet light emitting diodes and nanostructures fabricated by atomic layer deposition
著者 (4件):
CHEN Miin-Jang
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN Miin-Jang
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
YANG Jer-Ren
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SHIOJIRI Makoto
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
7
ページ:
074005,1-15
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)