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文献
J-GLOBAL ID：201202212051919801
整理番号：12A0548801
任意の注入条件から4H-SiCp+-n-n+ダイオードのスイッチング挙動の解析モデル
An Analytical Model of the Switching Behavior of 4H-SiC p+-n-n+ Diodes from Arbitrary Injection Conditions
BELLONE Salvatore
(Universita degli Studi di Salerno, Salerno, ITA)
,
DELLA CORTE Francesco G.
(Universita degli Studi Mediterranea di Reggio Calabria, Reggio Calabria, ITA)
,
DI BENEDETTO Luigi
(Universita degli Studi di Salerno, Salerno, ITA)
,
LICCIARDO Gian Domenico
(Univ. Salerno, Salerno, ITA)
資料名：
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 27 号： 3-4 ページ： 1641-1652 発行年： 2012年03月
JST資料番号： D0211B ISSN： 0885-8993 CODEN： ITPEE8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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