文献
J-GLOBAL ID:201202212087993609
整理番号:12A1699608
圧電応答力顕微鏡により調べられる強誘電体(SrBi2Ta2O9)-絶縁体(HfO2)-シリコン構造における保持損失
Retention loss in the ferroelectric (SrBi2Ta2O9)-insulator (HfO2)-silicon structure studied by piezoresponse force microscopy
著者 (7件):
ZHANG Z. H.
(Xiangtan Univ., Hunan, CHN)
,
ZHONG X. L.
(Xiangtan Univ., Hunan, CHN)
,
ZHANG Y.
(Xiangtan Univ., Hunan, CHN)
,
WANG J. B.
(Xiangtan Univ., Hunan, CHN)
,
LU C. J.
(Qingdao Univ., Shandong, CHN)
,
YE W. N.
(Qingdao Univ., Shandong, CHN)
,
ZHOU Y. C.
(Xiangtan Univ., Hunan, CHN)
資料名:
EPL
(EPL)
巻:
98
号:
2
ページ:
27011,1-27011,4
発行年:
2012年04月
JST資料番号:
D0701B
ISSN:
0295-5075
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)