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文献
J-GLOBAL ID：201202212266886327
整理番号：12A0099443
シンクロトロン放射光電子放出分光により調べたゲート電極とHfO2/Siゲートスタックの間のアニーリングが誘起した界面反応
Annealing-induced Interfacial Reactions between Gate Electrodes and HfO2/Si Gate Stacks Studied by Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy
TAKAHASHI H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OKABAYASHI J.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TOYODA S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KUMIGASHIRA H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OSHIMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IKEDA K.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
,
LIU G. L.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
,
LIU Z.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
,
USUDA K.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
資料名：
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻： 879 号： Pt.2 ページ： 1569-1572 発行年： 2007年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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