文献
J-GLOBAL ID:201202212490646358
整理番号:12A1714814
微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価
Evaluation of crystalline phase in SiO2 thin film using Grazing incidence X-ray diffraction
著者 (10件):
永田晃基
(明治大 理工)
,
永田晃基
(日本学術振興会)
,
山口拓也
(明治大 理工)
,
小椋厚志
(明治大 理工)
,
小金澤智之
(高輝度光科学セ)
,
廣澤一郎
(高輝度光科学セ)
,
諏訪智之
(東北大 未来科学技術共同研究セ)
,
寺本章伸
(東北大 未来科学技術共同研究セ)
,
服部健雄
(東北大 未来科学技術共同研究セ)
,
大見忠弘
(東北大 未来科学技術共同研究セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
263(SDM2012 89-97)
ページ:
11-14
発行年:
2012年10月18日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)