文献
J-GLOBAL ID:201202212540325388
整理番号:12A0495338
高周波パワーを重視した設計のための金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの新しい性能指標
New Performance Indicators of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors for High-Frequency Power-Conscious Design
著者 (2件):
KATAYAMA Kosuke
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
FUJISHIMA Minoru
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
2,Issue 2
ページ:
02BC02.1-02BC02.5
発行年:
2012年02月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)