文献
J-GLOBAL ID:201202212561932438
整理番号:12A0956712
超薄酸化物層をもつMOS構造中の荷電状態の特性
Properties of charge states in MOS structure with ultrathin oxide layer
著者 (5件):
JURECKA Stanislav
(DEF FEE Zilina Univ., Nalepku 1390, 03101 Liptovsky Mikulas, SVK)
,
KOBAYASHI Hikaru
(DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
,
TAKAHASHI Masao
(DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
,
MATSUMOTO Taketoshi
(DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
,
PINCIK Emil
(Inst. of Physics SAS, Dubravska cesta 9, 84511 Bratislava, SVK)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
258
号:
21
ページ:
8409-8414
発行年:
2012年08月15日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)