前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202212561932438
整理番号：12A0956712
超薄酸化物層をもつMOS構造中の荷電状態の特性
Properties of charge states in MOS structure with ultrathin oxide layer
JURECKA Stanislav
(DEF FEE Zilina Univ., Nalepku 1390, 03101 Liptovsky Mikulas, SVK)
,
KOBAYASHI Hikaru
(DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
,
TAKAHASHI Masao
(DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
,
MATSUMOTO Taketoshi
(DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
,
PINCIK Emil
(Inst. of Physics SAS, Dubravska cesta 9, 84511 Bratislava, SVK)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 258 号： 21 ページ： 8409-8414 発行年： 2012年08月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。