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文献
J-GLOBAL ID：201202213304521563
整理番号：12A0655843
切断面を使用する順方向バイアス電力素子の新しい研究分野の可能性
New Investigation Possibilities on Forward Biased Power Devices Using Cross Sections
KOCINIEWSKI T.
(Univ. Versailles-Saint Quentin, Versailles, FRA)
,
MOUSSODJI J.
(French Inst. Sci. and Technol. Transport, Versailles, FRA)
,
KHATIR Z.
(French Inst. Sci. and Technol. Transport, Versailles, FRA)
,
BERKANI M.
(Ecole Normale Superieure de Cachan, Cachan, FRA)
,
LEFEBVRE S.
(Ecole Normale Superieure de Cachan, Cachan, FRA)
,
AZZOPARDI S.
(Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 33 号： 4 ページ： 576-578 発行年： 2012年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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