文献
J-GLOBAL ID:201202213496878419
整理番号:12A0350731
超高真空透過電子顕微鏡法を用いたSi(110)上におけるCoSi2ナノワイヤーのエンドタキシャル成長のその場観測
In situ observations of endotaxial growth of CoSi2 nanowires on Si(110) using ultrahigh vacuum transmission electron microscopy
著者 (6件):
BENNETT P A
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
SMITH David J
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
HE Zhian
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
REUTER M C
(IBM T J Watson Res. Center, NY, USA)
,
ELLIS A W
(IBM T J Watson Res. Center, NY, USA)
,
ROSS F M
(IBM T J Watson Res. Center, NY, USA)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
22
号:
30
ページ:
305606:1-305606:7
発行年:
2011年07月29日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)