文献
J-GLOBAL ID:201202213513457589
整理番号:12A0369684
4H-ならびに6H-SiC上で作られたpチャンネルMOSFETの電気的性質
Electrical Properties of p-channel MOSFETs Fabricated on 4H- and 6H-SiC
著者 (4件):
OKAMOTO Mitsuo
(Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TANAKA Mieko
(Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YATSUO Tsutomu
(Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA Kenji
(Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
556/557
ページ:
783-786
発行年:
2007年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)