文献
J-GLOBAL ID:201202213721291813
整理番号:12A0531448
半絶縁基板上の4H-SiCラテラル高電圧デバイスの設計と製作
Design and Fabrication of 4H-SiC Lateral High-Voltage Devices on a Semi-Insulating Substrate
著者 (7件):
LEE Wen-Shan
(National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN)
,
CHU Kuan-Wei
(National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN)
,
HUANG Chih-Fang
(National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN)
,
LEE Lurng-Shehng
(Industrial Technol. Res. Inst. Taiwan, Hisnchu, TWN)
,
TSAI Min-Jinn
(Industrial Technol. Res. Inst. Taiwan, Hisnchu, TWN)
,
LEE Kung-Yen
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
ZHAO Feng
(Washington State Univ., WA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
3
ページ:
754-760
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)