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文献
J-GLOBAL ID：201202213815484143
整理番号：12A0509841
ガスソース分子線エピタクシー成長によるInAs/InP(100)量子ドットの光学的検討
Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy
LI S.g.
(Dep. of Electronic Communication and Technol., Shenzhen Inst. of Information Technol., 2188 Longxiang Road, Shenzhen ...)
,
GONG Q.
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...)
,
CAO C.f.
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...)
,
WANG X.z.
(Dep. of Electronic Communication and Technol., Shenzhen Inst. of Information Technol., 2188 Longxiang Road, Shenzhen ...)
,
YUE L.
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...)
,
LIU Q.b.
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...)
,
WANG H.l.
(Coll. of Physics and Engineering, Qufu Normal Univ., Qufu 273165, People’s Republic of China)
,
WANG Y.
(Coll. of Physics and Engineering, Qufu Normal Univ., Qufu 273165, People’s Republic of China)
資料名：
Infrared Physics & Technology
(Infrared Physics & Technology)
巻： 55 号： 2-3 ページ： 205-209 発行年： 2012年03月
JST資料番号： H0184A ISSN： 1350-4495 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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