文献
J-GLOBAL ID:201202213824918679
整理番号:12A0693720
物理的ダイシング法によるAlGaN/GaN HEMTのSiC背面ソース接地プロセス
SiC backside source grounding process for AlGaN/GaN HEMT by physical dicing method
著者 (4件):
WANG C.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
LEE W. S.
(Nano ENS Co. Ltd, Gyeonggi-do, KOR)
,
CHO S. J.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
KIM N. Y.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
48
号:
7
ページ:
405-406
発行年:
2012年03月29日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)