文献
J-GLOBAL ID:201202213911535450
整理番号:12A0706011
Spindt-T型シリコン電界放出素子を導入することによる静電放電保護の改善
Improvement of Electrostatic Discharge Protection by Introducing a Spindt-Type Silicon Field Emission Device
著者 (4件):
CHANG Liann-Be
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
FERNG Yi-Cherng
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
LIAO Jhong-Wei
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
LIN Ching-Chi
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
4,Issue 1
ページ:
044103.1-044103.3
発行年:
2012年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)