文献
J-GLOBAL ID:201202213937457937
整理番号:12A0809074
SiN単軸ひずみnチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのチャネルフッ素打込みによるストレスイミュニティ増強
Stress immunity enhancement of the SiN uniaxial strained n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor by channel fluorine implantation
著者 (3件):
CHEN Yung-yu
(Dep. of Electronic Engineering, Lunghwa Univ. of Sci. and Technol., Guishan, Taoyuan 333, Taiwan)
,
HSIEH Chih-ren
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
CHIU Fang-yu
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
52
号:
6
ページ:
995-998
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)