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文献
J-GLOBAL ID：201202213967509940
整理番号：12A1287402
InGaN量子井戸に基づくシアン超発光ダイオード
Cyan Superluminescent Light-Emitting Diode Based on InGaN Quantum Wells
KOPP Fabian
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
LERMER Teresa
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
EICHLER Christoph
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
STRAUSS Uwe
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 5 号： 8 ページ： 082105.1-082105.3 発行年： 2012年08月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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