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文献
J-GLOBAL ID：201202214142272439
整理番号：12A0580780
サブナノメーターEOT nMOS FinFETの時間依存絶縁破壊
Time-Dependent Dielectric Breakdown on Subnanometer EOT nMOS FinFETs
FEIJOO Pedro C.
,
KAUERAUF Thomas
(IMEC, Leuven, BEL)
,
TOLEDANO-LUQUE Maria
,
TOGO Mitsuhiro
(IMEC, Leuven, BEL)
,
SAN ANDRES Enrique
(Universidad Complutense de Madrid, Madrid, ESP)
,
GROESENEKEN Guido
(IMEC, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 12 号： 1 ページ： 166-170 発行年： 2012年03月
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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