文献
J-GLOBAL ID:201202214179630955
整理番号:12A0040783
エキシマおよびグリーンレーザのノンメルトレーザアニーリングによる浅いp+/n接合形成時のボロン拡散の比較
Comparison of boron diffusion in silicon during shallow p+/n junction formation by non-melt excimer and green laser annealing
著者 (4件):
AID Siti Rahmah
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
,
MATSUMOTO Satoru
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
,
FUSE Genshu
(SEN Corp., Tokyo, JPN)
,
SAKURAGI Susumu
(Sumitomo Heavy Ind. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
208
号:
12
ページ:
2772-2777
発行年:
2011年12月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)