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文献
J-GLOBAL ID：201202214536266442
整理番号：12A0611463
SiNxによるシリコン寿命の延長:SiH4とN2反応ガスを使った,PECVDにより退位したH反射防止膜
Silicon lifetime enhancement by SiN x :H anti-reflective coating deposed by PECVD using SiH4 and N2 reactive gas
BOUSBIH Rabaa
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia)
,
DIMASSI Wissem
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia)
,
HADDADI Ikbel
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia)
,
BEN SLEMA Sonia
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia)
,
RAVA Paolo
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia)
,
EZZAOUIA Hatem
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia)
資料名：
Solar Energy
(Solar Energy)
巻： 86 号： 5 ページ： 1300-1305 発行年： 2012年05月
JST資料番号： E0099A ISSN： 0038-092X CODEN： SRENA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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