文献
J-GLOBAL ID:201202214537150367
整理番号:12A0495391
表面再配列の制御エピタキシーによって成長したInSb膜の電気特性に対するInSb二重層調製における初期In被覆の効果
Effects of Initial In Coverage for Preparation of InSb Bilayer on Electrical Properties of InSb Films Grown By Surface Reconstruction Controlled Epitaxy
著者 (5件):
MORI Masayuki
(Univ. Toyama, Toyama, JPN)
,
YASUI Yuichiro
(Univ. Toyama, Toyama, JPN)
,
NAKAYAMA Koji
(Univ. Toyama, Toyama, JPN)
,
NAKATANI Kimihiko
(Univ. Toyama, Toyama, JPN)
,
MAEZAWA Koichi
(Univ. Toyama, Toyama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
2,Issue 2
ページ:
02BH03.1-02BH03.4
発行年:
2012年02月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)