前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202215825771950
整理番号：12A0728097
歪Si1-xGexバッファ層上に成長した自己集合SiGeナノアイランドの横方向整列の効果
Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si1 - xGex buffer layers
STRELCHUK V. V.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
NIKOLENKO A. S.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
LYTVYN P. M.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
KLADKO V. P.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
GUDYMENKO A. I.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
VALAKH M. Ya.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
KRASILNIK Z. F.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
LOBANOV D. N.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
NOVIKOV A. V.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 46 号： 5 ページ： 647-654 発行年： 2012年05月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。