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文献
J-GLOBAL ID：201202216257170268
整理番号：12A1371022
InGaN/GaN量子井戸ベース発光ダイオード内の局在発光中心における量子閉じ込めStark効果
Quantum-confined stark effect in localized luminescent centers within InGaN/GaN quantum-well based light emitting diodes
DE Suman
(Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND)
,
LAYEK Arunasish
(Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND)
,
BHATTACHARYA Sukanya
(Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND)
,
KUMAR DAS Dibyendu
(Dep. of Physical Chemistry, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND)
,
KADIR Abdul
(Dep. of Condensed Matter Physics and Materials Sci., Tata Inst. of Fundamental Res., Homi Bhaba Road, Mumbai 400005, IND)
,
BHATTACHARYA Arnab
(Dep. of Condensed Matter Physics and Materials Sci., Tata Inst. of Fundamental Res., Homi Bhaba Road, Mumbai 400005, IND)
,
DHAR Subhabrata
(Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND)
,
CHOWDHURY Arindam
(Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 12 ページ： 121919-121919-5 発行年： 2012年09月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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