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文献
J-GLOBAL ID：201202216280092118
整理番号：12A0891745
急速熱アニール後のSi(100)上の薄いエピタキシャルSi1-xGex層のGe拡散とSi応力変化のマイクロRaman評価
Micro-Raman characterization of Ge diffusion and Si stress change in thin epitaxial Si1-xGex layers on Si(100) after rapid thermal annealing
CHANG Chun-Wei
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HONG Min-Hao
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE Wei-Fan
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE Kuan-Ching
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
TSENG Li-De
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Yi-Hann
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHUANG Yen
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
FAN Yu-Ta
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
UEDA Takeshi
(WaferMasters, Inc., California)
,
ISHIGAKI Toshikazu
(WaferMasters, Inc., California)
,
KANG Kitaek
(WaferMasters, Inc., California)
,
YOO Woo Sik
(WaferMasters, Inc., California)
資料名：
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻： 27 号： 9 ページ： 1314-1323 発行年： 2012年05月14日
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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