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文献
J-GLOBAL ID：201202216642692178
整理番号：12A1675000
Bi2SiO5における新規な強誘電性の発現機構
谷口博基
(東京工大 応用セラミックス研)
,
細野秀雄
(東京工大 応用セラミックス研)
,
伊藤満
(東京工大 応用セラミックス研)
,
桑原彰秀
(ファインセラミックスセ)
,
森分博紀
(ファインセラミックスセ)
,
KIM Jungeun
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.(JASRI))
,
KIM Younghun
(東大)
,
KIM Sungwng
(成均館大学校)
,
星山卓也
(大阪府大)
,
小山司
(大阪府大)
,
森茂生
(大阪府大)
,
高田昌樹
(東大)
,
高田昌樹
(理研 播磨研)
,
稲熊宜之
(学習院大)
資料名：
日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 25th ページ： ROMBUNNO.1I06 発行年： 2012年09月12日
JST資料番号： L2240B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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