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文献
J-GLOBAL ID:201202216765865034   整理番号:12A0589743

回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の表面化学結合状態

著者 (16件):
三本菅正太
(東北大 電通研)
阿部峻佑
(東北大 電通研)
高橋良太
(東北大 電通研)
今泉京
(東北大 電通研)
半田浩之
(東北大 電通研)
吉越章隆
(日本原子力研究開発機構)
寺岡有殿
(日本原子力研究開発機構)
小嗣真人
(JST-CREST)
小嗣真人
(高輝度光科学研究セ)
大河内拓雄
(高輝度光科学研究セ)
木下豊彦
(JST-CREST)
木下豊彦
(高輝度光科学研究セ)
伊藤峻
(東北大 金属材料研)
吹留博一
(東北大 電通研)
末光眞希
(東北大 電通研)
末光眞希
(JST-CREST)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)

巻: 59th  ページ: ROMBUNNO.15A-A3-9  発行年: 2012年02月29日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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