文献
J-GLOBAL ID:201202216944150110
整理番号:12A0873957
SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンへのプラズマ支援窒素ドーピング中における窒素-空格子点複合体の形成
Formation of nitrogen-vacancy complexes during plasma-assisted nitrogen doping of epitaxial graphene on SiC(0001)
著者 (5件):
RHIM S. H.
(Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA)
,
QI Y.
(Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA)
,
LIU Y.
(Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA)
,
WEINERT M.
(Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA)
,
LI L.
(Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
23
ページ:
233119-233119-5
発行年:
2012年06月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)