文献
J-GLOBAL ID:201202216995440881
整理番号:12A1006053
ClF3気体により生成されるC面4H-SiC表面上のエッチピットの密度および挙動
Density and Behavior of Etch Pits on C-face 4H-SiC Surface Produced by ClF3 Gas
著者 (4件):
HABUKA Hitoshi
(Yokohama National Univ., JPN)
,
FURUKAWA Kazuchika
(Yokohama National Univ., JPN)
,
KANAI Toshimitsu
(Yokohama National Univ., JPN)
,
KATO Tomohisa
(National Inst. Advanced Sci. and Technol., JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.1
ページ:
379-382
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)