文献
J-GLOBAL ID:201202217600866962
整理番号:12A1166855
エミッタベースヘテロ接合の近くに薄い高度にN型ドープされた薄い層を有するInP/InGaAs HBTの性能
Performance of InP/InGaAs HBTs with a Thin Highly N-Type Doped Layer in the Emitter-Base Heterojunction Vicinity
著者 (4件):
KURISHIMA Kenji
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.)
,
IDA Minoru
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.)
,
KASHIO Norihide
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.)
,
K. FUKAI Yoshino
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E95-C
号:
8
ページ:
1310-1316 (J-STAGE)
発行年:
2012年
JST資料番号:
L1370A
ISSN:
0916-8524
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)