文献
J-GLOBAL ID:201202217761204013
整理番号:12A1006128
高感度気体検出用のSiC上のエピタキシャル成長単一層グラフェンをベースとしたFETおよび抵抗性デバイスの開発
Development of FETs and resistive devices based on epitaxially grown single layer graphene on SiC for highly sensitive gas detection
著者 (6件):
PEARCE R.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
YAKIMOVA R.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ERIKSSON J.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HULTMAN L.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ANDERSSON M.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
SPETZ A. Lloyd
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.1
ページ:
687-690
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)