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文献
J-GLOBAL ID：201202217761204013
整理番号：12A1006128
高感度気体検出用のSiC上のエピタキシャル成長単一層グラフェンをベースとしたFETおよび抵抗性デバイスの開発
Development of FETs and resistive devices based on epitaxially grown single layer graphene on SiC for highly sensitive gas detection
PEARCE R.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
YAKIMOVA R.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ERIKSSON J.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HULTMAN L.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ANDERSSON M.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
SPETZ A. Lloyd
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 717/720 号： Pt.1 ページ： 687-690 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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