文献
J-GLOBAL ID:201202217901965184
整理番号:12A1731455
AlGaN/GaNオンシリコン高電子移動度トランジスタのナノスケール解析
Nanoscale investigation of AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors
著者 (17件):
FONTSERE A
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
PEREZ-TOMAS A
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
PLACIDI M
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
LLOBET J
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
BARON N
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
BARON N
(PICOGIGA International, Villejust, FRA)
,
CHENOT S
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
CORDIER Y
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
MORENO J C
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
JENNINGS M R
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
GAMMON P M
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
FISHER C A
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
IGLESIAS V
(ETSE, Barcelona, ESP)
,
PORTI M
(ETSE, Barcelona, ESP)
,
BAYERL A
(ETSE, Barcelona, ESP)
,
LANZA M
(ETSE, Barcelona, ESP)
,
NAFRIA M
(ETSE, Barcelona, ESP)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
23
号:
39
ページ:
395204,1-8
発行年:
2012年10月05日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)