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文献
J-GLOBAL ID：201202217907505851
整理番号：12A0555105
先進的GaAsベースCMOSデバイスのためのOhm金属接触の最適化
Optimization of Ohmic metal contacts for advanced GaAs-based CMOS device
CHANG W. H.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
CHIANG T. H.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
LIN T. D.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
CHEN Y. H.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
WU K. H.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
HUANG T. S.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
HONG M.
(Dep. of Physics and Graduate Inst. of Applied Physics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
,
KWO J.
(Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan and Dep. of Physics, National ...)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30 号： 2 ページ： 02B123-02B123-4 発行年： 2012年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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