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文献
J-GLOBAL ID：201202218056122390
整理番号：12A1006087
センサーおよびデバイス応用のためのシリコン上の3C-SiCヘテロエピタキシャル成長における応力場の拡張特性評価
Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications
CAMARDA Massimo
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
,
ANZALONE Ruggero
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
,
PILUSO Nicolo
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
,
SEVERINO Andrea
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
,
CANINO Andrea
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
,
LA VIA Francesco
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
,
LA MAGNA Antonino
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 717/720 号： Pt.1 ページ： 517-520 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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